Петр Георгиевич Елисеев

Петр Георгиевич Елисеев (03.02.1936 – 15.01.2021 гг.), доктор физико-математических наук, профессор – выдающийся советский и российский физик, достижения которого в области полупроводниковых лазеров признаны и высоко оценены российским и мировым научным сообществом.
Петр Георгиевич Елисеев родился в г. Ленинграде, СССР. Окончил физический факультет МГУ в 1959 г.  Получил степень кандидата наук в 1965 году и степень доктора наук в 1974 году в Физическом институте им. П.Н. Лебедева Академии наук СССР, г. Москва, Россия. В 1981 году он возглавил лабораторию инжекционных лазеров Отделения квантовой радиофизики ФИАН
С 1995 по 2015 год П. Г. Елисеев работал профессором — исследователем в Центре высокотехнологичных материалов (Департамент EECE) Университета Нью-Мексико, г. Альбукерке, штат Нью-Мексико, США
Областями исследований П.Г. Елисеева были физика полупроводников, лазерная физика и  оптоэлектроника.  Пионерские работы П.Г. Елисеева в области полупроводниковых лазеров:
В 1968 году была впервые получена лазерная генерация в материалах GaAsP, InP, InGaAs, InAsP. В 1970 году — реализован первый CW лазерный диод комнатной температуры и была разработана теория волноводов для лазеров на гетеропереходах.
Была продемонстрирована  лазерная генерация в системах InGaAsP/InP (1974 г.), AlGaAsSb/GaSb (1976 г.) и  — в системах InGaAsSb/GaSb в 1978 году. В 1974-1985 годах было получены результаты по нелинейным эффектам в лазерных диодах, включая первое наблюдение асимметричного нелинейного взаимодействия спектральных мод.
В 1984 г. в составе авторского коллектива П.Г. Елисеев был удостоен Государственной премии СССР.
В 1995-2005 годах он работал над излучательными процессами в гетероструктурах на основе InGaN/GaN; лазерами с кольцевыми резонаторами с интегральной оптикой; исследованием спектров биения мод лазерных диодов; исследованием спектральных возмущений в полупроводниковых лазерами и генерацией медленного/быстрого света; исследованием полупроводниковых лазеров с квантовыми точками; квантовых каскадных лазеров.
В 2004 году он получил премию Н. Холоняка от Оптического общества Америки (OSA) за вклад в область развития физики полупроводниковых лазеров
Научные труды П.Г. Елисеева опубликованы в более, чем 550 трудах, включая 3 авторские монографии и множество глав в различных книгах
П.Г. Елисеев был членом-корреспондентом Российской академии естественных наук (1992 г.), членом Московского физического общества, членом международных организаций IЕЕЕ и SРIЕ, членом редколлегий журналов «Квантовая электроника», «Sоviеt Lighwаvе Соmmuniсаtiоns», «Радиотехника и электроника», членом Консультативного совета Международного журнала “Оптоэлектронные обзоры”, членом организационных комитетов большого количества международных конференций в области полупроводниковых лазеров и оптоэлектроники.
За годы своей научной деятельности П.Г. Елисеев создал свою научную школу, в которую вошли российские и иностранные ученые –22 кандидата и PhD  и 10 докторов физико-математических наук.